• Companies extend collaboration into solid-state circuit breaker (SSCB) technology in line with leading industry framework for 800 Volts direct current (VDC) architecture
• SSCB technology is designed to interrupt DC faults orders of magnitude faster than electromechanical breakers, addressing one of the key challenges in deploying high-voltage DC power architectures
• The collaboration advances a DC-native power architecture from medium-voltage grid connection through distribution to the rack, to support higher density, greater reliability and reduced environmental impact for AI data centers

Milpitas, Calif. and Munich, Germany – September 9, 2026 – SolarEdge, a global leader in smart energy technology, and Infineon Technologies, a global semiconductor leader in power systems and IoT, today announced an extension of their collaboration to advance solid-state circuit breaker (SSCB) technology for high-voltage DC distribution in AI and hyperscale data centers. The collaboration addresses a key challenge in the adoption of 800 VDC architecture: Safe operation of increasingly power-dense infrastructure requires a very fast fault-isolation to achieve selectivity while maintaining high efficiency.

Extending the collaboration to solid-state protection addresses a critical gap in the distribution layer between the solid-state transformer (SST) and the compute rack, advancing a comprehensive grid-to-rack solution. SolarEdge is leading the design of its SSCB solution, with Infineon providing its silicon carbide (SiC) JFET technology at the core of the protection devices.

As rapidly increasing AI compute density drives the industry toward higher-voltage DC distribution, SSCBs address one of the most fundamental challenges in enabling safe and reliable operation. Unlike conventional alternating current (AC) systems, DC protection presents a different engineering challenge. Without a natural current zero, mechanical interruption faces challenges with arcing. It is comparatively slow, and as such requires a different approach to circuit protection than conventional AC systems. SSCBs are designed to interrupt faults within a few microseconds, with no mechanical contacts to separate, while Infineon’s CoolSiC™ JFET devices deliver efficient operation and superior robustness. Together, these capabilities help protect high-value compute equipment and enable more compact, higher-density DC distribution designs.

The collaboration builds directly on SolarEdge’s SST platform with Infineon SiC components, first announced in November 2025. The SST is designed to enable direct medium-voltage (13.8-34.5 kV) to 800-1500 VDC conversion at over 99% efficiency, collapsing multiple conversion stages into a single solution while reducing physical footprint.

“High-density AI infrastructure at 800 VDC demands uncompromising efficiency and protection”, said Shuki Nir, Chief Executive Officer of SolarEdge. “Solid-state protection will enable operators to achieve both, delivering ultra-fast and dependable fault isolation without sacrificing conversion performance. Infineon’s silicon carbide technology is what makes it practical at scale.”

“Today’s data infrastructures have become more vulnerable to electrical faults, thereby driving the demand for smarter, faster and more robust power distribution systems,” said Andreas Weisl, Executive Vice President and Chief Sales Officer of Industrial & Infrastructure at Infineon. “By combining our advanced silicon carbide JFET technology with SolarEdge’s expertise in final power distribution, we are addressing these demands to ensure fast, safe and reliable operations in AI data centers.”

Building on more than 20 years of leadership in DC-coupled power electronics, SolarEdge is developing an 800 VDC powertrain for AI factories, a DC-native chain that carries power from the medium-voltage grid connection through conversion, distribution and protection to the compute rack. Infineon’s broad portfolio of silicon, silicon carbide and gallium nitride solutions provides that foundation, supporting the decarbonization of AI infrastructure through lower losses, reduced environmental impact, and improved total cost of ownership.

• Bedrijven breiden samenwerking uit met solid-state circuit breaker-technologie (SSCB), in lijn met een belangrijk industriekader voor  800 volt-gelijkstroomarchitectuur (VDC)
• SSCB-technologie is ontworpen om gelijkstroomstoringen vele malen sneller te onderbreken dan elektromechanische vermogensschakelaars. Het pakt een van de belangrijkste uitdagingen aan bij de invoering van hoogspanningsgelijkstroomarchitecturen
• De samenwerking bevordert een volledig op gelijkstroom gebaseerde energiearchitectuur, van de middenspanningsnetaansluiting via de distributie tot aan het rack, ter ondersteuning van een hogere vermogensdichtheid, grotere betrouwbaarheid en lagere milieu-impact van AI-datacenters

Amsterdam,  22 september 2026 – SolarEdge, wereldwijd toonaangevend op het gebied van slimme energietechnologie, en Infineon Technologies, wereldwijd marktleider op het gebied van  halfgeleiders voor energiesystemen en IoT, kondigen vandaag een uitbreiding van hun samenwerking aan om solid-state circuit breaker-technologie (SSCB) voor hoogspanningsgelijkstroomdistributie in AI- en hyperscale-datacenters verder te ontwikkelen. De samenwerking richt zich op een belangrijke uitdaging bij de invoering van een 800 VDC-architectuur: voor  veilige werking van infrastructuur met een steeds hogere vermogensdichtheid is zeer snelle foutisolatie nodig zodat  alleen het getroffen deel wordt uitgeschakeld en tegelijkertijd een hoog rendement te behouden.

De uitbreiding van de samenwerking naar solid-statebeveiliging vult een cruciale leemte in de distributielaag tussen de solid-state transformator (SST) en het serverrack en draagt zo bij aan een complete oplossing van elektriciteitsnet tot rack. SolarEdge leidt het ontwerp van zijn SSCB-oplossing, waarbij Infineon zijn JFET-technologie op basis van siliciumcarbide (SiC) levert als kern van de beveiligingscomponenten.

Nu de snel toenemende AI-rekendichtheid de sector richting gelijkstroomdistributie met hogere spanningen stuurt, pakken SSCB’s een van de meest fundamentele uitdagingen voor een veilige en betrouwbare werking aan. Gelijkstroombeveiliging brengt andere technische uitdagingen met zich mee dan conventionele wisselstroomsystemen (AC). Doordat een natuurlijk nuldoorgangspunt van de stroom ontbreekt, is mechanische onderbreking gevoelig voor boogvorming. Bovendien is deze methode relatief traag en vereist zij daarom een andere benadering van circuitbeveiliging dan  conventionele wisselstroomsystemen. SSCB’s zijn ontworpen om storingen binnen enkele microseconden te onderbreken, zonder mechanische contacten die van elkaar moeten worden gescheiden, terwijl de CoolSiC™ JFET-componenten van Infineon  efficiënte werking en superieure robuustheid bieden. Samen helpen deze eigenschappen kostbare computerapparatuur te beschermen en maken ze compactere gelijkstroomdistributieontwerpen met een hogere vermogensdichtheid mogelijk.

De samenwerking bouwt rechtstreeks voort op het SST-platform van SolarEdge met SiC-componenten van Infineon, dat in november 2025 voor werd aangekondigd. De SST is ontworpen voor directe omzetting van middenspanning (13,8-34,5 kV) naar 800-1500 VDC met een rendement van meer dan 99%. Daarbij worden meerdere omzettingsfasen samengebracht in één oplossing en wordt de fysieke footprint verkleind.

„AI-infrastructuur met een hoge vermogensdichtheid op 800 VDC stelt hoge eigen aan efficiëntie en beveiliging”, aldus Shuki Nir, Chief Executive Officer van SolarEdge. „Met solid-statebeveiliging kunnen exploitanten beide realiseren: ultrasnelle en betrouwbare foutisolatie zonder dat dit ten koste gaat van de prestaties van de stroomomzetting. De siliciumcarbidetechnologie van Infineon maakt dit op grote schaal praktisch toepasbaar.”

“De huidige data-infrastructuur is steeds kwetsbaarder voor elektrische storingen. Daardoor groeit de vraag naar slimmere, snellere en meer robuuste systemen voor de stroomdistributie”, aldus Andreas Weisl, Executive Vice President en Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bij Infineon. Door onze geavanceerde JFET-technologie op basis van siliciumcarbide te combineren met de expertise van SolarEdge op het gebied van de einddistributie van energie, spelen we in op deze behoefte en zorgen we voor een snelle, veilige en betrouwbare werking van AI-datacenters.”

Voortbouwend op meer dan twintig jaar leiderschap op het gebied  gelijkstroomgekoppelde vermogenselektronica ontwikkelt SolarEdge een 800 VDC-energieketen voor AI-fabrieken: een volledig op gelijkstroom gebaseerde keten die energie vanaf de middenspanningsnetaansluiting via omzetting, distributie en beveiliging naar het serverrack voert. Het brede portfolio van Infineon met oplossingen op basis van silicium, siliciumcarbide en galliumnitride vormt hiervoor de basis en ondersteunt de decarbonisatie van AI-infrastructuur door energieverliezen te beperken, een impact op het milieu te verkleinen en de  totale eigendomskosten te verlagen.

• Die Unternehmen weiten ihre Zusammenarbeit auf die Solid-State-Circuit-Breaker-Technologie (SSCB) aus und orientieren sich dabei an einem führenden Branchenkonzept für 800-V-Gleichstromarchitekturen.
• Die SSCB-Technologie ist darauf ausgelegt, Fehler in Gleichstromsystemen um ein Vielfaches schneller zu unterbrechen als elektromechanische Leistungsschalter und adressiert damit eine zentrale Herausforderung bei 800-V-Gleichstromarchitekturen.
• Die Zusammenarbeit treibt die Entwicklung einer DC-nativen Stromversorgungsarchitektur voran – vom Mittelspannungsnetzanschluss über die Verteilung bis hin zum Rack –, um höhere Leistungsdichten, größere Zuverlässigkeit und eine geringere Umweltbelastung von KI-Rechenzentren zu ermöglichen.

Milpitas, Kalifornien, und München, Deutschland – 16. September 2026 – SolarEdge, ein weltweit führender Anbieter für Smart Energy, und Infineon Technologies, ein weltweit führender Halbleiterhersteller in den Bereichen Energiesysteme und IoT, gaben heute eine Ausweitung ihrer Zusammenarbeit bekannt. Ziel ist es, die Solid-State-Circuit-Breaker-Technologie (SSCB) für die Gleichstromverteilung mit hoher Spannung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren weiterzuentwickeln. Die Zusammenarbeit adressiert eine zentrale Herausforderung bei der Einführung von 800-VDC-Architekturen: Der sichere Betrieb einer Infrastruktur mit immer höherer Leistungsdichte erfordert eine extrem schnelle Fehlerisolierung, um Selektivität bei gleichzeitig hoher Effizienz sicherzustellen.

Mit der Ausweitung der Zusammenarbeit auf Solid-State-Schutztechnologien schließen die Unternehmen eine entscheidende Lücke in der Verteilungsebene zwischen dem Solid-State-Transformator (SST) und dem Compute-Rack und treiben damit eine umfassende Grid-to-Rack-Lösung voran. SolarEdge übernimmt die federführende Entwicklung seiner SSCB-Lösung, während Infineon seine Siliziumkarbid-(SiC)-JFET-Technologie als zentrale Technologie für die Schutzbauelemente bereitstellt.

Da die rasant steigende Rechendichte im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) die Branche zu einer Gleichstromverteilung mit höheren Spannungen treibt, bewältigen SSCBs eine der grundlegendsten Herausforderungen für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb. Im Gegensatz zu herkömmlichen Wechselstromsystemen (AC) stellt der Gleichstromschutz eine andere technische Herausforderung dar. Ohne einen natürlichen Stromnullpunkt ist die mechanische Unterbrechung mit Lichtbogenbildung verbunden. Sie ist vergleichsweise langsam und erfordert daher einen anderen Ansatz beim Schalterschutz als herkömmliche Wechselstromsysteme. SSCBs sind darauf ausgelegt, Fehler innerhalb weniger Mikrosekunden zu unterbrechen, ohne dass mechanische Kontakte getrennt werden müssen, während die CoolSiC™-JFET-Bauelemente von Infineon einen effizienten Betrieb und überragende Robustheit gewährleisten. Zusammen tragen diese Fähigkeiten zum Schutz hochwertiger Rechenanlagen bei und ermöglichen kompaktere Gleichstromverteilungsdesigns mit höherer Dichte.

Die Zusammenarbeit baut direkt auf der SST-Plattform von SolarEdge mit SiC-Komponenten von Infineon auf, die erstmals im November 2025 angekündigt wurde. Die SST-Plattform ist darauf ausgelegt, eine direkte Umwandlung von Mittelspannung (13,8–34,5 kV) in 800–1.500 VDC mit einem Wirkungsgrad von über 99 % zu ermöglichen, wobei mehrere Umwandlungsstufen in einer einzigen Lösung zusammengefasst und gleichzeitig der Platzbedarf reduziert werden.

„Eine hochdichte KI-Infrastruktur bei 800 VDC erfordert kompromisslose Effizienz und Schutz“, sagte Shuki Nir, Chief Executive Officer von SolarEdge. „Der Halbleiterschutz ermöglicht es Betreibern, beides zu erreichen, und bietet eine ultraschnelle und zuverlässige Fehlerisolierung, ohne die Umwandlungsleistung zu beeinträchtigen. Die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon macht dies in großem Maßstab praktikabel.“

„Heutige Dateninfrastrukturen sind anfälliger für elektrische Störungen geworden, was die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen steigert“, sagte Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer des Geschäftsbereichs Industrial & Infrastructure bei Infineon. „Durch die Kombination unserer fortschrittlichen Siliziumkarbid-JFET-Technologie mit dem Know-how von SolarEdge im Bereich der Endstromverteilung werden wir diesen Anforderungen gerecht, um einen schnellen, sicheren und zuverlässigen Betrieb in KI-Rechenzentren zu gewährleisten.“

Aufbauend auf mehr als 20 Jahren Erfahrung und Technologieführerschaft in der DC-gekoppelten Leistungselektronik entwickelt SolarEdge derzeit einen 800-VDC-Powertrain für KI-Fabriken – eine durchgängig auf Gleichstrom ausgelegte Kette, die Energie vom Mittelspannungsnetzanschluss über Umwandlung, Verteilung und Schutz bis zum Compute-Rack führt. Das breite Portfolio von Infineon an Lösungen auf Basis von Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid bildet hierfür die technologische Grundlage und unterstützt die Dekarbonisierung von KI-Infrastrukturen durch geringere Verluste, eine reduzierte Umweltbelastung und niedrigere Gesamtbetriebskosten.

• Le aziende estendono la collaborazione alla tecnologia degli interruttori automatici a stato solido (SSCB), in linea con il principale framework di settore per le architetture a 800 volt in corrente continua (VDC)
• La tecnologia SSCB è progettata per interrompere i guasti in corrente continua con una rapidità di diversi ordini di grandezza superiore rispetto agli interruttori elettromeccanici, affrontando una delle principali sfide legate all’implementazione di architetture di alimentazione DC ad alta tensione
• La collaborazione promuove lo sviluppo di un’architettura di alimentazione nativa in corrente continua, dalla connessione alla rete in media tensione fino alla distribuzione e al rack, a supporto di maggiore densità di potenza, elevata affidabilità e minore impatto ambientale dei data center AI

Milpitas, California, e Monaco di Baviera, Germania – 16 settembre 2026 – SolarEdge Technologies, leader globale nelle tecnologie smart energy, e Infineon Technologies, leader globale nel settore dei semiconduttori per sistemi di potenza e IoT, annunciano oggi l’estensione della propria collaborazione per promuovere lo sviluppo della tecnologia degli interruttori automatici a stato solido (SSCB) destinata alla distribuzione in corrente continua ad alta tensione nei data center AI e hyperscale. Questa collaborazione affronta una sfida chiave per l’adozione delle architetture a 800 VDC: garantire il funzionamento sicuro di infrastrutture caratterizzate da una densità di potenza sempre maggiore richiede un isolamento dei guastiestremamente rapido, in grado di assicurare selettività senza compromettere l’efficienza.

L’estensione della collaborazione ai sistemi di protezione a stato solido contribuisce a colmare una lacuna critica nel livello di distribuzione compreso tra il trasformatore a stato solido (SST) e il rack di elaborazione, contribuendo allo sviluppo di una soluzione completa dalla rete al rack. SolarEdge guida la progettazione della propria soluzione SSCB, mentre Infineon fornisce la tecnologia JFET al carburo di silicio (SiC), cuore dei dispositivi di protezione.

Con il rapido aumento della densità di elaborazione dell’AI, che spinge il settore verso la distribuzione in corrente continua a tensioni più elevate, gli SSCB affrontano una delle sfide più importanti per garantire un funzionamento sicuro e affidabile. Rispetto ai sistemi convenzionali in corrente alternata (AC), la protezione in corrente continua presenta infatti una diversa complessità ingegneristica. In assenza del naturale passaggio per lo zero della corrente, l’interruzione meccanica può generare archi elettrici. Inoltre, risulta relativamente lenta e richiede quindi un approccio alla protezione dei circuiti diverso da quello adottato nei sistemi AC convenzionali. Gli SSCB sono progettati per interrompere i guasti nell’arco di pochi microsecondi, senza contatti meccanici da separare, mentre i dispositivi CoolSiC™ JFET di Infineon assicurano efficienza operativa e robustezza superiore. Nel loro insieme, queste caratteristiche contribuiscono a proteggere apparecchiature di elaborazione di elevato valore e consentono di realizzare sistemi di distribuzione in corrente continua più compatti e con una maggiore densità di potenza.

La collaborazione si basa direttamente sulla piattaforma SST di SolarEdge con componenti SiC di Infineon, annunciata per la prima volta nel novembre 2025. L’SST è progettato per consentire la conversione diretta dalla media tensione (13,8-34,5 kV) a 800-1.500 VDC con un’efficienza superiore al 99%, accorpando più stadi di conversione in un’unica soluzione e riducendo al contempo l’ingombro fisico.

«Le infrastrutture AI ad alta densità alimentate a 800 VDC richiedono livelli di efficienza e protezione senza compromessi», ha dichiarato Shuki Nir, Chief Executive Officer di SolarEdge. «La protezione a stato solido consentirà agli operatori di raggiungere entrambi gli obiettivi, assicurando un isolamento dei guasti ultrarapido e affidabile senza penalizzare le prestazioni di conversione. È la tecnologia al carburo di silicio di Infineon a renderne possibile l’implementazione su larga scala».

«Le attuali infrastrutture dati sono diventate più vulnerabili ai guasti elettrici, determinando una crescente domanda di sistemi di distribuzione dell’energia più intelligenti, rapidi e robusti», ha dichiarato Andreas Weisl, Executive Vice President e Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure di Infineon. «Combinando la nostra avanzata tecnologia JFET al carburo di silicio con l’esperienza di SolarEdge nella distribuzione finale dell’energia, rispondiamo a queste esigenze per garantire un funzionamento rapido, sicuro e affidabile dei data center AI».

Forte di oltre 20 anni di leadership nell’elettronica di potenza con accoppiamento in corrente continua, SolarEdge sta sviluppando un sistema di alimentazione a 800 VDC per le AI factory: una catena nativa in corrente continua che trasferisce l’energia dalla connessione alla rete in media tensione, attraverso le fasi di conversione, distribuzione e protezione, fino al rack di elaborazione. L’ampio portafoglio Infineon di soluzioni al silicio, al carburo di silicio e al nitruro di gallio costituisce la base di questo sistema e contribuisce alla decarbonizzazione delle infrastrutture AI grazie a minori perdite, a un impatto ambientale ridotto e a un migliore costo totale di proprietà.